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经ICinsights预测，DRAM和NAND存储器的销量预计今年将创历史新高，究其原因是因为产品平均售价（ASP）的快速增长。具体来看，2017年DRAM的实际出货量预计会有所下滑，而NAND出货量仅增长2%，但足够推动闪存市场的增长势头。图中显示了DRAM、NAND的季度ASP增长率：从2016年第三季度开始到2017年第二季度，DRAM的平均售价（ASP）上涨了16.8%，NAND上涨了11.6%，保持了持续增长态势。
随着DRAM平均售价的快速增长，DRAM厂商将再次加大对这一领域的支出。然而，技术研发的投入占比远远大于量产的投入。ICInsights预测2017年所有闪存的支出将用于3DNAND技术而非2D闪存。因此今年在NAND闪存的最大投入来自三星，7月4日，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线正式投产，将生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备。
纵观历史态势，大量资金投入通常会导致产能过剩和定价疲软的情况出现。因此，三星、SKHynix、Micron、英特尔、东芝/闪迪和长江存储，都计划在未来几年内大幅度提升3DNAND闪存容量，这一轮将有中国的厂家加入进来。那么在未来几年内，产能过剩的现象极有可能再发生。
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