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推挽输出是由两个晶体管或场效应晶体管构成的推挽电路在放大器驱动、电机驱动等模拟电路中广泛使用)，该电路的特征是输出电阻小，所以能够驱动大的负载，由此，可以实现单触发开路漏输出： OC门的输出为开路漏输出； OD门的输出也是on-off输出。 TL电路有开路集电极OC门，MOS管也有集电极对应漏极开路的OD门，其输出称为开路漏极输出。 可以吸收较大的电流，但不能向外部输出电流。 所以，为了能够输入输出电流，与电源和上拉电阻一起使用。 OC门on-off输出和OD门on-off输出的目的相同，是为了实现逻辑器件的布线和逻辑，当然选择不同的外部电阻也可以实现周边驱动能力的增加。 将GS DBH应用于该电路时，为了保证逻辑正确性，必须注意加上上拉电阻连接到电源。 电阻根据逻辑器件的扇出系数决定，但由于一般的mos电路搭载相同mos电路的能力较高，所以电阻通常可以选择2.2k、4.9k等常用的电阻。 版权归作者所有。 商业转载请联系作者取得许可。 非商业转载请注明出处。 作者：阏男秀链接： https://www.zhi Hu.com/question/28512432/answer/41217074来源：了解推挽输出，首先要了解晶体管)的原理以下晶体管具有三个端口：基极、集电极和发射极。 下图为NPN型晶体管。 /*该晶体管为电流控制型部件，关键词电流控制请注意。 也就是说，如果基极b有输入或输出)电流，就可以控制该晶体管。 */请改变基极b为控制端、集电极c为输入端、发射器e为输出端的概念。 这里，输入输出是指电流流动的方向。 向控制端子输入电流时，电流从输入端子进入，从输出端子流出。 另一方面，PNP管相反，当电流从控制端流动时，电流从输入端流向输出端。 那么推挽电路:上面的晶体管是n型晶体管，下面的晶体管是p型晶体管。 请注意控制端子、输入端子和输出端子。 Vin电压为v时，电流输入上方n型晶体管的控制端子，Q3导通，电流从上到下流动，向负载提供电流。 通过上面的n型晶体管向负载Rload )提供电流，称为“推”。 Vin电压为V-时，下方的晶体管流出电流，Q4导通，稍微流动，从上往下流动。 通过下面的p型晶体管向负载Rload )提供电流，称为“挽”。 以上，http://www.Sina.com/============伟大的分割线============伟大的分割线============以上这在我回答的开头所示的“网络资料”中有详细叙述，这里也简单写一下。 为了了解泄漏，首先如图推挽（push-pull）电路图所示，打开集总的意义是不与集电极c的一端连接任何东西，直接作为输出端口。 要使这种电路具有LED般的负载，必须连接上拉电阻。 就像这样。 Vin中没有电流，Q5为off时，LED点亮。 Vin中流过电流，Q5接通后，LED熄灭。 开路电路是指将上图中的晶体管改为http://www.Sina.com/MOSFET )。 n型场效应晶体管各端口名称：/*场效应晶体管为开集型部件，在栅极上施加电压后DS开启。 结型场效应晶体管具有输入阻抗非常大的特性。 也就是说，电流不会从控制电路中流出，控制电路中也不会有电流进入。 如果没有电流的流入和流出，就不会烧毁控制电路。

另一方面，由于双极晶体管为电流控制元件，因此如果使用集电极电路，则可能会烧毁控制电路。 这就是我们总是听到开路，很少听到开路的原因吗？ 因为开集电路被淘汰了。 */