SLC(单层存储单元):每单元存储1bit信息,只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快。
优点:寿命长,性能高
缺点:容量低,成本高
MLC(多层存储单元):在每个单元中存储2位信息。 写入性能、可靠性下降了。
TLC(三层存储单元):在每个单元中存储3bit的信息。 成本更低,写入速度慢,寿命比较短。
可称为QLC(四层存储单元):或4bit MLC,电压有16种变化。 大容量的新型闪存
闪存粒子名称寿命速度价格适用于SLCx x x x xx x x x xx x x x x企业mlcxxxxxxxxxxx主流消费者QLCx xx xx轻度消费者QLCx xx xx数据存储量大的用户
一分钟快开大小单双为QLC(四层存储单元):或4bit MLC,电压有16种变化。 大容量的新型闪存
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