【CNMO科技消息】5月29日，三星电子宣布，已向全球主要客户供应新一代高带宽存储器HBM4E 12层样品。该产品是HBM4的升级版本，针对大型语言模型和AI数据中心等高算力场景设计。
三星
据CNMO科技了解，三星HBM4E 12层样品在性能上实现明显提升。单个引脚工作速度从HBM4的14Gbps提高至最高16Gbps，提升幅度超过20%。单堆栈带宽达到每秒3.6TB，可满足下一代AI加速器对数据吞吐量的需求。容量方面，该产品实现48GB，三星计划根据客户需求推出32GB 8层和64GB 16层版本，以覆盖不同AI服务器和数据中心场景。
三星HBM4E 12层样品
技术层面，HBM4E采用三星1c（第六代10纳米级）DRAM和自研4纳米工艺的逻辑芯片，沿用在HBM4中已验证的制程组合。三星同时优化了低功耗设计和封装结构，使能效较前代提升16%，热阻特性改善超过14%。这些改进有助于降低高负载AI运算下的发热和功耗，提升数据中心运行效率。
三星于今年2月开始量产HBM4，目前仍在扩大供应。此次HBM4E样品出货后，三星将根据客户时间表推进量产。三星电子存储器事业部开发副总裁黄相俊表示，HBM4量产成功为后续产品打下基础，公司计划基于领先的生产投资和技术竞争力，推动全球AI存储器市场增长。此前，HBM4在去年12月的系统级封装测试中以11.7Gbps速度获得行业最高评分。