三星7nm EUV成熟了 Power 10核心面积高达602mm2：仅次于安培

今天IBM正式推出了Power 10系列处理器，，Power 10可谓科技满满，PCIe 5.0、DDR5都齐了，单芯片15核心120线程。

这一代最大的变化当属制程工艺，从之前Power 9的GF 14nm SOI工艺升级到了三星 7nm EUV工艺，而且核心面积高达602mm2，意味着这是一颗大核心芯片。

对三星来说，虽然2018年官方就高调宣布了7nm EUV工艺量产，比台积电进度还靠前，但实际上三星的7nm EUV一直不够成熟，良率多次传出问题。

在7nm工艺上，台积电为NVIDIA代工的安培GA100核心面积高达826mm2，集成了540亿晶体管，可以说是7nm高性能芯片之最了。

现在三星制造的Power 10处理器面积也达到了602mm2，晶体管数量180亿，规模上依然不能跟GA100相比。

不过我们要考虑到，CPU与GPU工艺是不同的，后者总体较为简单，对规模更容易，而CPU要复杂的多，Power 10的晶体管只有GA100的1/3。

即便如此，三星7nm EUV工艺能够制造出600mm以上的大芯片，说明三星的7nm EUV在高性能方面也成熟了，这对三星抢占台积电的份额大有裨益。