财联社4月17日电，长电科技4月17日宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司 … Continue reading 长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破
财联社4月17日电，长电科技4月17日宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证，通过测试结构的试制与实测评估，公司 … Continue reading 长电科技实现玻璃基TGV射频IPD性能突破