从未来成长动力来看，对于国内市场而言，GPU市场将成为拉动半导体芯片需求的核心驱动力。全球AI产业正快速发展，北美企业每年需投入数千亿元采购英伟达的GPU芯片。
国内云计算市场约占全球五分之一的份额，按理说，国内算力需求也应占到全球20%-30%的份额。因此，中国GPU市场的规模其实非常可观。
GPU的放量将带动先进制程的需求加速增长。除了GPU之外，消费电子领域也存在对先进制程的需求。例如，苹果当前的A18芯片已采用台积电的先进制程，未来苹果还计划将台积电3纳米制程进一步升级至2纳米。不过，国内高端手机芯片的制程进度目前仍落后于苹果。因此，国内消费电子领域未来也将推动手机芯片向更先进制程升级，这将进一步带动先进制程需求的加速扩张。相应地，先进制程的产能也需要进一步扩充。
另一方面，我们可以看到现在的GPU，海外如英伟达的芯片（包括其H100及当前热门的GB200），采用的都是台积电4纳米左右的制程。但对于大陆的部分GPU厂商而言，其使用的制程主要集中在7到14纳米。因此，若GPU持续放量，将带来先进制程扩产所需的额外设备需求。由此可见，先进制程当前的扩产需求较为急迫，国产设备在该赛道将迎来更多机会。当然，国内设备厂商未必能在初期就占据较大份额，但这种缓慢替代的过程，已奠定了半导体设备赛道的中长期景气基础。
另一个市场关注的焦点是存储行业的情况。存储市场分类繁多，但DRAM和NAND两大产品占据了98%至99%的市场份额，是最核心的品类。不过，这两类产品的主要市场份额仍由日韩及美国厂商占据，大陆厂商的份额相对较少。
为什么存储价格会大幅上涨？其实核心原因源于AI的虹吸效应。英伟达这类芯片中会大量使用HBM，这是因为在AI训练与推理过程中，计算的开销其实很低——芯片依靠晶体管中的器件运作即可完成计算，且计算速度极快，真正的瓶颈在于数据需要不断搬运、频繁切换，由此带来的存储与传输需求会非常大。
因此，内存性能一直限制着AI芯片的性能提升。从海外情况来看，英伟达在GPU周围配置了大量HBM，通过HBM的高速数据交换保障持续计算。在近期的CES2026上，黄仁勋宣布了一项存储池化技术，该技术通过存储池化为芯片额外增加了对NAND的需求，每张GPU大约对应16TBNAND容量，相比以往翻了三四倍，这也将推动存储需求快速扩张。
AI芯片自2023年起进入了爆发式增长阶段。2023年全球GPU出货量还相对较少，但截至2025年来看，全球GPU（包括ASIC）出货量已接近或超过1000万片，增长速度极为迅猛。GPU持续放量将带动相关存储需求，而需求增长极为迅猛，供给却未能同步快速提升，这就导致了供不应求的局面。对于美光等技术先进的海外公司，他们显然更愿意将产能投向利润率更高的HBM产品，这就导致他们在部分旧有产品上的产能快速收缩。以DDR4为例，海外产能收缩速度极快，而今年DDR4的下游领域（如消费电子、家电等）需求相对稳健，这种供需错配直接导致相关产品价格大幅上涨。
当然，不同阶段的涨价节奏存在差异，有时NAND涨势更快，有时DRAM涨幅更突出。但总体来看，去年Q4存储模组的合约价格已大幅上涨，而据TrendForce数据显示，今年Q1DRAM合约价格预计还将上涨50%至60%。
如果存储行业持续增长，从投资角度该如何布局，这是我长期思考的问题。比如，大家若想通过指数类ETF布局存储板块，难度其实很大。因为我梳理了市场上主流的半导体相关指数后发现，这类ETF的存储板块占比普遍仅10%，甚至不足20%。因此，存储行情与这类ETF虽有相关性，但ETF行情并非主要由存储行情驱动。
顺着这个思路，存储涨价的本质是产能端供不应求，需求增长的核心驱动力是全球AI技术的快速发展；而当供给端出现调整时，存储行业有望启动扩产，这将直接利好半导体设备板块。
存储产线的国产化率显著高于先进制程领域。此外，存储行业正呈现明显的3D化趋势，如图所示，存储芯片通过不断堆叠存储颗粒来增加层数，这种堆叠过程将更利好刻蚀、薄膜沉积等环节。
数据来源：智研咨询，中国海关总署，中微公司，北方华创，华经产业研究院，华金证券研究所，泛林，交银国际
网上可查的相关数据显示，尤其是NAND芯片，其层数不断增加的同时，刻蚀环节也会相应增多，因此刻蚀设备在整条产线中的价值量占比也会更高。此外，随着3D化趋势的推进，对技术的要求也在不断提高，例如，目前深宽比90:1的刻蚀技术已逐步得到应用。
因此，存储扩产将更利好国产设备，其中，国产设备在薄膜沉积、刻蚀等优势环节将显著受益，而光刻等相对弱势的环节，其重要性则相对被弱化。
此外，“两存”的上市也是市场关注的焦点。若“两存”成功上市，叠加当前存储价格超预期上涨、产能持续供不应求的态势，行业扩产预期有望进一步升温，这将为半导体设备板块带来持续催化。
刚才提到的3D化趋势，从2D到3D，存储芯片通过不断堆叠存储颗粒实现升级。由于是逐层堆叠，需要进行多次刻蚀，例如挖掘沟道，且挖掘的沟道相比以往更深。因此，刻蚀设备在存储产线中的价值量占比有望持续提升。
目前，主流厂商已基本推出300多层的3DNAND芯片，据第三方数据预测，到2030年这一数字可能会增加到1000层左右。层数的显著提升，也意味着相关环节的景气度将持续向好。
一个重要的变化是，当前由存储扩产驱动的半导体设备行情，其炒作逻辑与以往不同。以往半导体设备的炒作逻辑主要围绕自主可控进度，核心是关注国产设备在大陆市场的渗透率提升，本质是国产设备逐步挤占海外厂商在国内的市场份额。
而存储驱动的半导体设备行情逻辑完全不同，其核心驱动力来自全球AI的发展。例如，海外AIGPU持续快速出货，将进一步加剧全球存储产能的供不应求，这将推动国内存储行业加速扩产，在此过程中，相关半导体设备厂商将持续接到更多订单。
因此，当前看待半导体设备板块，不应再仅局限于自主可控这一单一视角。自主可控固然重要，但已非唯一的核心逻辑。当前半导体设备板块已如同此前的光模块、PCB等海外算力相关环节，进入了与海外算力强映射的阶段。例如，当前海外部分存储公司资本开支超预期时，国内半导体设备板块的股价也会有所反应，这种映射关系在近两个月表现得尤为明显。大家若有兴趣可对比观察，当出现相关催化因素时，国内半导体设备板块与北美主要存储及半导体设备公司的股价映射关系十分清晰。
由此可见，存储扩产为半导体设备板块带来的核心利好在于，其行情将跟随AI赛道同步发展，进入高景气成长阶段。
半导体设备行情已从单一自主可控，升级为与海外算力强映射的格局，海外存储企业资本开支变动对国内板块催化明显。当前板块估值分位低于主流芯片指数，性价比突出。半导体设备ETF（159516）优势显著：持仓涵盖设备与材料领域龙头，聚焦核心工艺环节；是市场规模最大、流动性最佳的半导体设备主题ETF，当前节点半导体设备ETF（159516）催化逻辑明确，是把握行业景气周期的优选工具。
风险提示：
投资人应当充分了解基金定期定额投资和零存整取等储蓄方式的区别。定期定额投资是引导投资人进行长期投资、平均投资成本的一种简单易行的投资方式。但是定期定额投资并不能规避基金投资所固有的风险，不能保证投资人获得收益，也不是替代储蓄的等效理财方式。
无论是股票ETF/LOF基金，都是属于较高预期风险和预期收益的证券投资基金品种，其预期收益及预期风险水平高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。
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