《科创板日报》30日讯,三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段,逐步淘汰了传统的128层(V6)NAND闪存,并已开始量产236层(V8)产品。目前,三星电子正在筹划进一步的升级,预计将于今年完成向 … Continue reading 三星电子开始量产236层NAND闪存
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小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞 三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存
《科创板日报》3月13日讯,今日科创板早报主要内容有:司法部部长贺荣表示,今年将加快研究人工智能等领域立法;我国成功发射卫星互联网低轨20组卫星;星际荣耀双曲线3号可重复使用运载火箭预计年底首飞;章建 … Continue reading 小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞 三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存
三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存
3月13日,据报道,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。 由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队,成功开发出一种“物理信息神经算子”模型。该模型分析铁电基NA … Continue reading 三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存
应用材料与美光合作,将开发下一代DRAM、高带宽内存和NAND存储技术
3月10日,应用材料宣布与美光科技合作,整合应用材料EPIC研发中心和美光创新中心的研发能力,开发下一代DRAM、高带宽内存(HBM)和NAND存储技术。此次合作还包括开发先进封装技术,以实现高带宽、 … Continue reading 应用材料与美光合作,将开发下一代DRAM、高带宽内存和NAND存储技术
存储黑科技来了!SK海力士发表HBM、HBF联用架构 每瓦性能可提高2.69倍
《科创板日报》2月12日讯 随着AI计算对内存需求不断扩大,全球存储技术创新也进入“加速期”。 据韩国经济日报报道,SK海力士近日在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上发表论文,提出了一种 … Continue reading 存储黑科技来了!SK海力士发表HBM、HBF联用架构 每瓦性能可提高2.69倍
SK海力士正开发新技术以降低NAND制造成本
2月11日消息,据报道,SK海力士正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉,传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻,通过键合工艺连接 … Continue reading SK海力士正开发新技术以降低NAND制造成本
事关存储芯片产能扩张!美光新晶圆厂破土动工 十年投资240亿美元
财联社1月27日讯(编辑 卞纯)当地时间周一,美光科技宣布,位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工,计划未来十年投资约240亿美元,预计2028年下半年投产。这笔投资将创造约 … Continue reading 事关存储芯片产能扩张!美光新晶圆厂破土动工 十年投资240亿美元
【明日主题前瞻】腾讯春节分10亿现金,百度文心助手5亿跟进春节AI大战
【热点导读】 腾讯春节分10亿现金,百度文心助手5亿跟进春节AI大战 马斯克称星舰今年目标完全复用,进入太空成本将降至目前的1% 远超预期!三星电子将一季度NAND价格上调100% 国内旅游市场出游人 … Continue reading 【明日主题前瞻】腾讯春节分10亿现金,百度文心助手5亿跟进春节AI大战
今年产能已售罄!日本铠侠:NAND供应紧张料至少持续至2027年
财联社1月22日讯(编辑 卞纯)2026年开启以来,存储芯片上涨之风仍在猛吹。 日本存储巨头铠侠日前警告称,至少在未来两年内,存储市场将持续受到AI相关投资的影响。更糟糕的是,消费者将不得不为相同的产 … Continue reading 今年产能已售罄!日本铠侠:NAND供应紧张料至少持续至2027年
铠侠高管:7000 日元 1TB 固态硬盘的时代已经过去,全年产能接近售罄
1 月 21 日消息,KIOXIA 铠侠高管 Shunsuke Nakato 昨日到访韩国,在媒体活动上他表示 7000 日元(注:现汇率约合 308.6 元人民币)就能买到 1TB 固态硬盘的时代已 … Continue reading 铠侠高管:7000 日元 1TB 固态硬盘的时代已经过去,全年产能接近售罄
