标签： NAND
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机构：一季度NAND、DRAM存储市场份额大幅增长
【CNMO科技消息】6月15日，Counterpoint发布全球NAND、DRAM、HBM存储市场份额季度数据。 三星NAND 全球NA…
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新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍
财联社5月22日电，美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能…
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SK海力士：预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境
4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此…
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三星电子开始量产236层NAND闪存
《科创板日报》30日讯，三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰了传统的128层（V6）NAND闪存，并已开始量产236层（V8）产品…
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小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞 三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存
《科创板日报》3月13日讯，今日科创板早报主要内容有：司法部部长贺荣表示，今年将加快研究人工智能等领域立法；我国成功发射卫星互联网低轨20组卫星…
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三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存
3月13日，据报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。 由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功…
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应用材料与美光合作，将开发下一代DRAM、高带宽内存和NAND存储技术
3月10日，应用材料宣布与美光科技合作，整合应用材料EPIC研发中心和美光创新中心的研发能力，开发下一代DRAM、高带宽内存（HBM）和NAND…
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存储黑科技来了！SK海力士发表HBM、HBF联用架构 每瓦性能可提高2.69倍
《科创板日报》2月12日讯 随着AI计算对内存需求不断扩大，全球存储技术创新也进入“加速期”。 据韩国经济日报报道，SK海力士近日在IEEE（电…
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SK海力士正开发新技术以降低NAND制造成本
2月11日消息，据报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，传统制…