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新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍

财联社5月22日电，美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新 … Continue reading 新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍

SK海力士：预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境

4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环 … Continue reading SK海力士：预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境

小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞 三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存

《科创板日报》3月13日讯，今日科创板早报主要内容有：司法部部长贺荣表示，今年将加快研究人工智能等领域立法；我国成功发射卫星互联网低轨20组卫星；星际荣耀双曲线3号可重复使用运载火箭预计年底首飞；章建 … Continue reading 小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞 三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存

三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

3月13日，据报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。 由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种“物理信息神经算子”模型。该模型分析铁电基NA … Continue reading 三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

应用材料与美光合作，将开发下一代DRAM、高带宽内存和NAND存储技术

3月10日，应用材料宣布与美光科技合作，整合应用材料EPIC研发中心和美光创新中心的研发能力，开发下一代DRAM、高带宽内存（HBM）和NAND存储技术。此次合作还包括开发先进封装技术，以实现高带宽、 … Continue reading 应用材料与美光合作，将开发下一代DRAM、高带宽内存和NAND存储技术

存储黑科技来了！SK海力士发表HBM、HBF联用架构 每瓦性能可提高2.69倍

《科创板日报》2月12日讯 随着AI计算对内存需求不断扩大，全球存储技术创新也进入“加速期”。 据韩国经济日报报道，SK海力士近日在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上发表论文，提出了一种 … Continue reading 存储黑科技来了！SK海力士发表HBM、HBF联用架构 每瓦性能可提高2.69倍

事关存储芯片产能扩张！美光新晶圆厂破土动工 十年投资240亿美元

财联社1月27日讯（编辑 卞纯）当地时间周一，美光科技宣布，位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约240亿美元，预计2028年下半年投产。这笔投资将创造约 … Continue reading 事关存储芯片产能扩张！美光新晶圆厂破土动工 十年投资240亿美元