【CNMO科技消息】5月26日，SK海力士公布了一项名为iHBM的高带宽内存散热技术，通过在HBM封装内部加入一体化冷却组件，降低发热并提升高负载环境下的运行稳定性。该公司表示，新方案可将热阻较现有产品降低30%以上。
根据介绍，iHBM将热控制元件布置在发热最集中的D22D PHY区域内部，并为热量导出建立专用通道。该热控制元件被称为ICE，即集成冷却元件，采用不导电但具备高导热性的硅材料，在封装内部形成额外的散热路径，从而改善HBM在高温、高负载条件下的热管理表现。
在制造方面，iHBM采用已在市场中得到验证的Advanced MR-MUF基础WLP工艺，可支持稳定的大规模量产。SK海力士称，这项技术与客户现有的系统级封装环境具备较高设计兼容性，因此在导入时无需进行大幅度设计修改，可直接应用到现有体系中。
SK海力士计划从HBM5等下一代产品开始导入iHBM技术，以满足高性能计算、AI数据中心等超高集成度和超高带宽场景下更严格的散热需求，并提升系统整体稳定性和运营效率。
SK海力士负责封装开发的副总裁李康旭表示，iHBM是结合内存设计能力与先进封装技术开发的散热优化方案，目标是为AI应用环境下的客户需求提供更及时的支持。随着AI计算负载持续增长，HBM的发热控制正成为影响性能释放和系统可靠性的关键环节，厂商也在持续推进相关封装与散热技术升级。