标签： 间电介质

9月23日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。新型多层厚金属间电介质工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度 … Continue reading SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺