标签: keyfoundry
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SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺
财联社1月28日电,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry 1月28日宣布,其第四代200V高压0.18微米BCD(Bipolar-C…
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SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺
1月28日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布,其第四代200V高压0.18微米BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工…
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SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺
9月23日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质(Thick IMD)电容工艺。新型多…