标签： keyfoundry
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SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺
财联社1月28日电，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry 1月28日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD（Bipolar-C…
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SK keyfoundry推出第四代200V高压0.18微米BCD工艺
1月28日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工…
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SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺
9月23日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质（Thick IMD）电容工艺。新型多…