标签： cmos芯片

沙财联社10月21日电，特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录，成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。此前公开报道的混合CMOS堆 … Continue reading 混合CMOS芯片堆叠层数大幅提升