AI时代“隐秘赢家”?这类半导体“逆袭”走到聚光灯下

《科创板日报》8月30日讯 半导体的进步既是工艺制程的进步,也是半导体材料的进步。纵观新能源汽车和消费电子的发展历程,第三代半导体凭借其禁带宽度极宽、高导热率等优势,在推动产业发展中发挥着重要作用。 … Continue reading AI时代“隐秘赢家”?这类半导体“逆袭”走到聚光灯下

九峰山实验室:首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺

8月19日,据九峰山实验室消息,九峰山实验室近日在磷化铟(InP)材料领域取得重要技术突破,成功开发出6英寸磷化铟(InP)基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺,关键性能指标达到国际领先水 … Continue reading 九峰山实验室:首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺

我国磷化铟领域获重要技术突破 云南鑫耀6英寸磷化铟单晶片量产在即

每经AI快讯,九峰山实验室今日官微消息,九峰山实验室近日在磷化铟(InP)材料领域取得重要技术突破,成功开发出6英寸磷化铟(InP)基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺,关键性能指标达到国 … Continue reading 我国磷化铟领域获重要技术突破 云南鑫耀6英寸磷化铟单晶片量产在即