《科创板日报》11日讯,据业内人士透露,SK海力士正在研发高带宽存储(HBS)技术,该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块,并通过垂直导线扇出(VFO)连接,从而提高数据处理速度,有望让未来 … Continue reading SK海力士正研发高带宽存储(HBS)
《科创板日报》11日讯,据业内人士透露,SK海力士正在研发高带宽存储(HBS)技术,该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块,并通过垂直导线扇出(VFO)连接,从而提高数据处理速度,有望让未来 … Continue reading SK海力士正研发高带宽存储(HBS)