HBM4相关文章列表 - 风君子博客

美光HBM4产能提升提速新一代HBM4E明年量产

　　【CNMO科技消息】近日，美光科技表示，第六代高带宽内存（HBM4）产能优化正在稳步推进，下一代HBM4E标准产品也将于明年开始量产。　　美光科技全球运营副总裁马尼什·巴蒂亚20日在摩根大通投资 … Continue reading 美光HBM4产能提升提速新一代HBM4E明年量产

　　【CNMO科技消息】4月30日，CNMO科技了解到，三星电子在其今年第一季度业绩发布电话会议上透露，公司自今年2月全球首度开始量产发货的第六代高带宽内存（HBM）——HBM4，预计在今年第三季度， … Continue reading 三星电子：预计HBM4芯片销售额三季度起占比过半

｜2026年2月9日星期一｜ NO.1马斯克：是时候大规模重返月球了 2月8日，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克发文称，是时候大规模重返月球。与此同时，有消息称SpaceX正在奥斯汀和西雅图招聘工程师， … Continue reading 马斯克：是时候大规模重返月球了；三星将率先量产HBM4，最早于2月第三周向英伟达交付丨全球科技早参

1 月 17 日消息，韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（注：即 1c nm）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。此举被视为 … Continue reading 消息称三星电子 1c nm DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点

1 月 2 日消息，三星电子联席 CEO、设备解决方案部负责人全永铉在今日发布的 2026 新年致辞中提到，三星的 HBM4 内存产品展现了独特的差异化竞争力，从客户处获得“三星回来了”的赞誉。全永 … Continue reading 三星半导体负责人全永铉：HBM4 内存获客户“三星回来了”赞誉

感谢网友 HH_KK 的线索投递！ 12 月 25 日消息，据韩媒 DealSite 12 月 24 日报道，SK 海力士将于明年 1 月上旬向英伟达提供下一代 HBM4 12 层最终样品。此前，S … Continue reading 消息称 SK 海力士明年 1 月向英伟达交付 12 层 HBM4 最终样品，有望 2~3 月量产

11 月 19 日消息，韩国 ETNews 昨日报道称，为重夺 DRAM 市场领导地位，三星计划到 2026 年底将其 10nm 第六代 DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到 20 万片（晶圆）， … Continue reading 三星计划到 2026 年底将 1c DRAM 月产能扩大至 20 万片，意在重夺市场领导地位

10 月 23 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 22 日）发布博文，报道称在韩国首尔举办的 2025 年半导体展览会（SEDEX）上，三星首次公开展示了 HBM4 内存，表明这家韩 … Continue reading 三星 HBM4 内存首秀：逻辑芯片良率达 90%、引脚速度 11 Gbps

10 月 20 日消息，韩媒《朝鲜日报》当地时间今日表示，由三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片（注：Logic Die）良率已超过 90%。三星电子在 HB … Continue reading 消息称三星电子 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片良率已超九成

9 月 24 日消息，美光在 2025 财年第四财季及全财年财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片（注：Base Logic Die）上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 … Continue reading 美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片