HBM4相关文章列表 - 风君子博客

三星半导体负责人全永铉：HBM4 内存获客户“三星回来了”赞誉

1 月 2 日消息，三星电子联席 CEO、设备解决方案部负责人全永铉在今日发布的 2026 新年致辞中提到，三星的 HBM4 内存产品展现了独特的差异化竞争力，从客户处获得“三星回来了”的赞誉。全永 … Continue reading 三星半导体负责人全永铉：HBM4 内存获客户“三星回来了”赞誉

感谢网友 HH_KK 的线索投递！ 12 月 25 日消息，据韩媒 DealSite 12 月 24 日报道，SK 海力士将于明年 1 月上旬向英伟达提供下一代 HBM4 12 层最终样品。此前，S … Continue reading 消息称 SK 海力士明年 1 月向英伟达交付 12 层 HBM4 最终样品，有望 2~3 月量产

11 月 19 日消息，韩国 ETNews 昨日报道称，为重夺 DRAM 市场领导地位，三星计划到 2026 年底将其 10nm 第六代 DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到 20 万片（晶圆）， … Continue reading 三星计划到 2026 年底将 1c DRAM 月产能扩大至 20 万片，意在重夺市场领导地位

10 月 23 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 22 日）发布博文，报道称在韩国首尔举办的 2025 年半导体展览会（SEDEX）上，三星首次公开展示了 HBM4 内存，表明这家韩 … Continue reading 三星 HBM4 内存首秀：逻辑芯片良率达 90%、引脚速度 11 Gbps

10 月 20 日消息，韩媒《朝鲜日报》当地时间今日表示，由三星电子晶圆代工部门为存储器部门制造的 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片（注：Logic Die）良率已超过 90%。三星电子在 HB … Continue reading 消息称三星电子 4nm 工艺 HBM4 内存逻辑裸片良率已超九成

9 月 24 日消息，美光在 2025 财年第四财季及全财年财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片（注：Base Logic Die）上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 … Continue reading 美光 HBM4 / HBM4E 内存分别采用内部和台积电工艺基础逻辑裸片

9 月 19 日消息，分析机构 TrendForce 集邦咨询 18 日表示，综合考虑合作关系、技术成熟度、可靠度、产能规模等因素，英伟达明年的最大 HBM4 内存供应商地位仍将由 SK 海力士占据。 … Continue reading 集邦预计：英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导，若调高速度要求有利于三星

《科创板日报》9月12日讯（编辑宋子乔）据韩联社等多家韩媒今早报道，SK海力士12日宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效，并在全球首 … Continue reading 海力士率先完成HBM4开发或让AI性能飙升69% 量产已就绪

8 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称，英伟达计划在 2026 年一季度完成其计划明年下半年推出的 “Rubin” AI GPU 所需的 HBM … Continue reading 消息称英伟达 2026Q1 完成 Rubin GPU 所需 HBM4 12Hi 内存最终质量测试

8 月 11 日消息，综合路透社和韩媒 SEDaily、Hankyung 报道，SK 海力士 HBM 业务规划组织高管崔俊龙 (Choi Joon-yong) 表示，整体 AI 内存市场在直到 203 … Continue reading SK 海力士：AI 内存未来 6 年市场规模年均增长 30%，定制 HBM 是趋势