每经记者：朱成祥 每经编辑：董兴生 在AI（人工智能）旺盛的需求下，存储芯片价格或将“起飞”。 近日，有报道称，美国内存芯片公司美光科技向渠道发出通知，所有DDR4（第四代内存规格）、DDR5、LPD … Continue reading AI需求旺盛带火存储芯片 美光暂停报价？
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因缺陷导致性能问题，消息称三星 V9 QLC NAND 闪存商用延至 2026 上半年
9 月 17 日消息，科技媒体 ZDNet Korea 昨日（9 月 16 日）发布博文，报道称三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 商用化上遇到阻碍，导致大规模商用计划推迟至 2026 … Continue reading 因缺陷导致性能问题，消息称三星 V9 QLC NAND 闪存商用延至 2026 上半年
SK海力士开始供应新的高性能NAND闪存 以满足AI设备需求
《科创板日报》11日讯，SK海力士表示，已开始供应一项新的NAND解决方案，以满足具有设备上人工智能（AI）功能的最新智能手机的需求，该公司表示，新产品ZUFS 4.1基于区域存储技术，提供了更高的操 … Continue reading SK海力士开始供应新的高性能NAND闪存 以满足AI设备需求
SK海力士开始供应移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.1
9月11日，SK海力士宣布，已正式向客户供应移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。SK海力士表示，此次产品搭载于全球手机制造商的最新款智能手机，将为智能手机提供更强大的端侧AI功能支持。
SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存
财联社8月25日电，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC1 NAND闪存产品，并开始量产。该产品计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。
SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存，计划明年进入AI数据中心市场
8月25日，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC1 NAND闪存产品，并开始量产。该产品计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。该公司计划首先在电脑端固态硬盘（P … Continue reading SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存，计划明年进入AI数据中心市场
美光回应中国区业务调整：公司将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发
8月12日，网传美国存储芯片厂商美光中国区业务调整。美光公司针对此变动对界面新闻回应称，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，公司将在全球范围内停止未来移动 … Continue reading 美光回应中国区业务调整：公司将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发