据报道,英伟达计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士的HMB4存储技术。
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SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
《科创板日报》4日讯,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及 … Continue reading SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
韩国存储芯片巨头SK海力士拟在韩国投资150亿美元 以扩建芯片产能
存储巨头最新发声:今年涨价将贯穿全年!
据媒体报道,近日,SK海力士在高盛的电话会上发布对存储行业及公司经营的最新观点。该公司认为:“全球存储器产业已彻底转向卖方市场,2026年价格涨势将贯穿全年。” 图片来源:每经媒资库 SK海力士这项判 … Continue reading 存储巨头最新发声:今年涨价将贯穿全年!
SK海力士系统集成电路无锡公司增资至14亿
天眼查App显示,近日,SK海力士系统集成电路(无锡)有限公司发生工商变更,企业名称变更为SK海力士系统集成电路(无锡)股份有限公司,同时,注册资本由约6.35亿美元增至14亿美元。该公司成立于201 … Continue reading SK海力士系统集成电路无锡公司增资至14亿
SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍
《科创板日报》12日讯,SK海力士近日通过发表在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上的论文,提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术,公司将8个HBM3E和8个HBF置 … Continue reading SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍
SK海力士正开发新技术以降低NAND制造成本
2月11日消息,据报道,SK海力士正在开发名为“AIP(All-In-Plug)”的创新技术,以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉,传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻,通过键合工艺连接 … Continue reading SK海力士正开发新技术以降低NAND制造成本
SK集团会长与黄仁勋会面 探讨 HBM及AI合作
美光、SK海力士和三星电子加强对客户存储订单审查 防止蓄意囤积库存
三星大楼 网络图 《科创板日报》30日讯,消息人士称,美光、SK海力士和三星电子三大内存芯片制造商已加强对客户订单的审查,防止蓄意囤积库存。这三家公司要求客户披露最终客户和订单量,以确保需求真实可靠, … Continue reading 美光、SK海力士和三星电子加强对客户存储订单审查 防止蓄意囤积库存
AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星
财联社1月29日讯(编辑 夏军雄)凭借在人工智能(AI)芯片所需的高带宽存储器(HBM)的领先优势,SK海力士在2025年首次实现营业利润超越竞争对手三星电子。 本周,两家韩国存储芯片巨头均公布了财报 … Continue reading AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星
