中信建投研报称,随着半导体产业更先进制程迈进,芯片尺寸缩小而功率激增,“热点”问题突出,芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降,催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料,热导率可达2000W/ … Continue reading 中信建投:伴随算力需求提升与第三代半导体发展,未来金刚石在高端散热市场空间广阔
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我国科学家实现全球首颗二维-硅基混合架构芯片
财联社10月9日电,继今年4月在《自然》提出“破晓”二维闪存原型器件后,复旦大学科研团队又迎来新突破。北京时间10月8日晚,复旦大学在《自然》(Nature)上发文,题目为《全功能二维-硅基混合架构闪 … Continue reading 我国科学家实现全球首颗二维-硅基混合架构芯片
LG化学开发出高分辨率PID材料,布局新一代半导体封装市场
9月29日,LG化学宣布开发出尖端半导体封装核心材料—液态PID(Photo Imageable Dielectric),正式布局人工智能和高性能半导体市场。PID作为感光绝缘材料,用在半导体芯片和基 … Continue reading LG化学开发出高分辨率PID材料,布局新一代半导体封装市场
亨通光电:空芯反谐振光纤已亮相 具备批量交付能力
每经AI快讯,9月17日,亨通光电在互动平台表示,2025年7月,公司空芯反谐振光纤已亮相,在特定波段实现损耗≤0.2dB/km,达到国际先进水平损耗值,自主创新突破了全链条核心制备技术体系,具备批量 … Continue reading 亨通光电:空芯反谐振光纤已亮相 具备批量交付能力
半导体器件—–短沟道效应
MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的,这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。 它们是: ࿰ … Continue reading 半导体器件—–短沟道效应
