标签： 海力士
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三星和SK海力士将延长DDR4生产至明年
《科创板日报》2日讯，由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期…
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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存
财联社8月25日电，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC1 NAND闪存产品，并开始量产。该产品计划于明年上…
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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存，计划明年进入AI数据中心市场
8月25日，SK海力士宣布，已开发出321层2Tb（太比特，Terabit） QLC1 NAND闪存产品，并开始量产。该产品计划于明年上半年正式…
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机构：二季度DRAM市场规模创历史季度新高
《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（…
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HBM市场前景大有可为？SK海力士高管预测：将以每年30%速度增长
财联社8月11日讯（编辑 刘蕊）近日，韩国SK海力士的高管表示，该公司预测，到2030年，为人工智能设计的HBM芯片市场将以每年30%的速度增长…