DRAM相关文章列表 - 风君子博客

TrendForce：2026Q1 一般 DRAM 合约价环比涨 55~60%、NAND 涨 33~38%

1 月 5 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日的最新一期报告中预测，2026 年一季度一般型 DRAM（注：即非 HBM 内存）的合约价格将环比上涨 55~60%、NAND 闪存产品的合约价 … Continue reading TrendForce：2026Q1 一般 DRAM 合约价环比涨 55~60%、NAND 涨 33~38%

1 月 1 日消息，据英国《金融时报》今日报道，在 AI 浪潮推动下，存储芯片成本飙升，分析师和制造商警告，消费者未来一年很可能要为智能手机、PC 和家电支付更高价格，涨幅可能高达 20%。戴尔、联 … Continue reading AI 浪潮推高存储芯片成本，分析师称未来一年消费电子或涨价两成

据中国贸易救济信息网，12月29日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件（Certain Dynamic Random Access Memo … Continue reading 美国ITC正式对DRAM设备及其下游产品和组件启动337调查，三星、谷歌等为列名被告

财联社12月30日电，据中国贸易救济信息网，12月29日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件启动337调查。韩国Samsung Electr … Continue reading 美国ITC正式对DRAM设备及其下游产品和组件启动337调查三星、谷歌等为列名被告

财联社12月23日讯（编辑卞纯）韩国三星电子一直是苹果供应链中扮演着重要角色，而随着全球“存储荒”愈演愈烈，苹果公司在iPhone存储芯片方面对三星电子的依赖度正显著提升。据媒体报道，随着存储芯片 … Continue reading “存储荒”下苹果供应格局生变三星据悉将独占iPhone 17七成DRAM

据行业媒体，存储巨头金士顿数据中心SSD业务经理CameronCrandall近日在“TheFullNerdNetwork”播客中表示，未来30天NAND闪存短缺将明显加剧，SSD价格将在当前基础上进 … Continue reading 未来30天NAND闪存短缺将明显加剧国产存储芯片厂商有望迎来爆发

财联社12月16日讯（编辑卞纯）在AI引爆存储需求以及行业产能调整等多重因素的影响下，过去几个月，全球“存储荒”愈演愈烈。而全球存储三巨头之一、韩国SK海力士的一份意外曝光的内部分析文件，揭示了存 … Continue reading 全球“存储荒”愈演愈烈！SK海力士警告：DRAM短缺料持续至2028年

12 月 14 日消息，据科技媒体 Wccftech 昨天报道，主流 PC 市场正为内存供需长期失衡做准备，SK 海力士的内部会议显示，大宗 DRAM 产能增长将变得十分有限，难以追上不断攀升的需求， … Continue reading SK 海力士警告：DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年

财联社12月11日讯（编辑卞纯）在AI需求激增、行业产能调整等多重因素的影响下，过去几个月，全球“存储荒”愈演愈烈。瑞银在最新报告指出，存储行业正面临前所未有的供需紧张局面。瑞银预计，DRAM（动 … Continue reading “存储荒”前所未有！瑞银：DRAM短缺料至2027年 DDR Q4料涨价35%

财联社12月8日讯（编辑卞纯）据业内人士周日透露，今年第四季度韩国三星电子有望重夺全球DRAM（动态随机存取存储器）市场营收第一的宝座，超越其本土竞争对手SK海力士。业内人士表示，三星10-12月 … Continue reading 存储芯片争霸战愈演愈烈三星Q4有望重夺DRAM市场头把交椅