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SK海力士：预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境

4月23日，SK海力士在财报中表示，存储效率化技术的扩散将提高人工智能服务的经济性，进而推动整体服务规模的扩大，这将进一步拉动存储器需求。基于此，公司预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环 … Continue reading SK海力士：预计DRAM和NAND闪存市场均将维持有利的价格环境

截至13:04，算力芯片概念表现活跃，上证科创板芯片指数（000685.SH）盘中涨幅1.12%。相关ETF方面，聚焦国产芯片的科创芯片ETF（588290）上涨1.29%，现价2.68元。前十大重 … Continue reading 全球CPU供应告急！Intel、AMD上调全系列价格

北京君正4月8日在互动平台表示，目前DRAM产品都比较紧俏，DDR4和LPDDR4目前确实供不应求，预计今年占比会有提升。

财联社3月16日讯（编辑马兰）全球存储行业正处于人工智能需求爆发的超级周期中，然而，随着时间推移，以三星电子和SK海力士为代表的主要存储生产商正在重新审视市场供需平衡，并采取了更加谨慎的扩张策略。 … Continue reading 内存短缺2028年将结束？三星和SK海力士资本支出偏谨慎

《科创板日报》3月13日讯，今日科创板早报主要内容有：司法部部长贺荣表示，今年将加快研究人工智能等领域立法；我国成功发射卫星互联网低轨20组卫星；星际荣耀双曲线3号可重复使用运载火箭预计年底首飞；章建 … Continue reading 小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存

财联社3月11日讯（编辑刘蕊）美东时间周二，应用材料表示，已与存储芯片公司美光科技和SK海力士达成合作，共同开发下一代AI存储芯片。应用材料公司宣布，美光和SK海力士将作为应用材料公司研究中心的创 … Continue reading AI热潮下“芯荒”难解？应用材料联手美韩芯片巨头合作开发存储芯片

《科创板日报》3月4日讯据韩国ZDNet消息，SK海力士正在推进下一代封装技术，用于提高HBM4的稳定性和性能。目前该项技术正处于验证阶段。由于HBM4的I/O（输入/输出信号）数量翻倍至2048 … Continue reading HBM竞赛白热化！SK海力士探索封装新方案或满足英伟达峰值性能目标

2月28日，国家发改委价格监测中心发文称，2025年9月至今，受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近1个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关 … Continue reading 国家发改委价格监测中心：存储芯片价格持续上涨并向下游传导

财联社2月11日电，中芯国际联合首席执行官赵海军在业绩交流会上表示，AI需求在一定时间内“永远无法满足”。“现在大家算力都不够，因为对AI有宏大设想，巴不得在一两年内建成未来十年需要的数据中心，至于建 … Continue reading 中芯国际赵海军：HBM缺货将持续但手机、电脑下行趋势三季度或反转

财联社1月28日讯（编辑马兰）韩国半导体制造商SK海力士周三公布其2025年第四季度财报，凭借人工智能内存芯片领域的竞争力以及包括HBM在内的高附加值产品，该公司的年度和季度业绩双双创下历史新高。 … Continue reading SK海力士Q4营收利润均创新高 HBM成业绩增长关键动力