SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距

《科创板日报》4日讯,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及 … Continue reading SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距