在AI（人工智能）旺盛的需求下，存储芯片价格或将起飞。 近日，有报道称，美国内存芯片公司美光科技向渠道发出通知，所有DDR4（第四代内存规格）、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部暂停报 … Continue reading AI需求旺盛带来存储芯片“缺货潮” 美光暂停报价，国内厂商将全线涨价？
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机构：DRAM价格飙升致买家难以跟进 交易量有限
《科创板日报》17日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4供应依然吃紧，但价格飙升导致买家难以跟进，导致价格上涨但交易量有限。NAND方面，现货市场价格上涨 … Continue reading 机构：DRAM价格飙升致买家难以跟进 交易量有限
存力接棒AI基建？英伟达望向GPU+SSD 存储涨价预期持续发酵
《科创板日报》9月14日讯 算力、运力，以及存力，被视作AI基础设施建设的三驾马车。随着AI、数据中心等场景需求快速成长，存力或将接棒算力，成为AI基建体系中的又一关键变量。 近日消息，英伟达与日本存 … Continue reading 存力接棒AI基建？英伟达望向GPU+SSD 存储涨价预期持续发酵
海力士率先完成HBM4开发 或让AI性能飙升69% 量产已就绪
《科创板日报》9月12日讯（编辑 宋子乔） 据韩联社等多家韩媒今早报道，SK海力士12日宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效，并在全球首 … Continue reading 海力士率先完成HBM4开发 或让AI性能飙升69% 量产已就绪
趁着HBM热潮加速！SK海力士Q2蝉联全球DRAM市占率第一
财联社9月5日讯（编辑 刘蕊）继第一季度之后，SK海力士今年第二季度在全球DRAM市场上蝉联第一。这表明，凭借着在高带宽存储器（HBM）市场上的优势，SK海力士正持续扩大与三星电子的销售额和占有率差距 … Continue reading 趁着HBM热潮加速！SK海力士Q2蝉联全球DRAM市占率第一
二季度全球DRAM市场规模环比增长20% 机构称AI带动产业链探底回升
据媒体报道，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DR … Continue reading 二季度全球DRAM市场规模环比增长20% 机构称AI带动产业链探底回升
机构：二季度DRAM市场规模创历史季度新高
《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（产品生命周期终止）通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价 … Continue reading 机构：二季度DRAM市场规模创历史季度新高
领先三星：SK 海力士被曝推进 1c DRAM 六层 EUV 工艺
8 月 12 日消息，科技媒体 WccfTech 昨日（8 月 11 日）发布博文，报道称 SK 海力士（SK Hynix）为了推动 DDR5 及高带宽存储（HBM）产品性能升级，并在新一代存储技术中 … Continue reading 领先三星：SK 海力士被曝推进 1c DRAM 六层 EUV 工艺
抓住存储市场变化窗口，佰维存储AI时代率先破局
2025年，全球存储市场供需进入转折时刻：随着三大国际内存原厂逐渐退出DDR4市场，叠加DDR5需求量增加，造成DRAM（动态随机存储）类产品价格涨幅巨大；从应用端来看，随着AI从云端走向边缘，AI应 … Continue reading 抓住存储市场变化窗口，佰维存储AI时代率先破局
破局者佰维：一家存储公司的“反周期”战争
2025年的上半年，全球半导体市场，DRAM（动态随机存取存储器）上演了史无前例的一幕。 进入2025年第三季度，原本即将被取代的DDR4内存技术，其市场价格呈现出与技术更迭周期相悖的走势，根据市场分 … Continue reading 破局者佰维：一家存储公司的“反周期”战争