标签： HBM
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SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品
《科创板日报》1月18日讯 尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及。 据韩国…
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机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末
根据TrendForce集邦咨询最新调查，NVIDIA（英伟达）于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per P…
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三星高管警告：内存供应吃紧 电子产品全面涨价风险抬头
财联社1月7日讯（编辑 赵昊）三星电子高管表示，内存芯片的供应短缺预计将推高整个电子行业商品的价格，甚至可能波及其自家消费类产品的售价。 三星已…
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SK海力士将在CES首次亮相下一代HBM产品
财联社1月6日电，SK海力士宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并…
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三星平泽P4工厂建设提速，HBM4量产或提前
12月29日消息，据报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm…
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三星、SK海力士据悉将于明年2月启动HBM4量产
12月26日消息，据报道，三星电子将于2月在韩国平泽园区启动HBM4量产，SK海力士则将在其M16工厂启动量产。
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SK海力士明年1月初向英伟达交付12层HBM4最终样品
《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终…
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存储涨价潮蔓延！三星、海力士上调HBM报价20%
《科创板日报》12月24日讯 据韩国《朝鲜日报》今日消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在…
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机构：DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
TrendForce集邦咨询表示，2025年5月NVIDIA（英伟达）率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商，当时在买方主导定价的情况下…
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机构：未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距将明显收敛
根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽…