标签： 三星电子

三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段

《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。 … Continue reading 三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段

苹果、三星季度出货量增长强劲，消费电子ETF（159732.SZ）上涨1.01%

1月21日上午，A股三大指数集体上涨，上证指数盘中上涨0.19%，电子、国防军工、通信等板块涨幅靠前，煤炭、商贸零售跌幅居前。消费电子走强，截至9:45，消费电子ETF（159732.SZ）上涨1.0 … Continue reading 苹果、三星季度出货量增长强劲，消费电子ETF（159732.SZ）上涨1.01%

消息称三星电子、SK海力士今年将缩减NAND闪存晶圆投片量

《科创板日报》20日讯，韩媒ChosunBiz援引市场研究机构Omdia的数据报道，合计占据NAND产能60%以上的两大原厂三星电子和SK海力士今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧NAN … Continue reading 消息称三星电子、SK海力士今年将缩减NAND闪存晶圆投片量

三星电子美国泰勒晶圆厂 3 月测试 EUV 光刻机，加速部署 2nm GAA 工艺

1 月 19 日消息，据《韩国经济新闻》今天报道，三星电子将从今年 3 月起在其美国泰勒一号工厂测试 EUV 光刻机，随后陆续引进刻蚀、沉积等设备，计划今年下半年投产。 据业界消息，三星电子已经向德州 … Continue reading 三星电子美国泰勒晶圆厂 3 月测试 EUV 光刻机，加速部署 2nm GAA 工艺

SK海力士、三星加速HBF商业化进程，明年或用于英伟达产品；Anthropic拟融资至少250亿美元，Claude Code火爆出圈丨全球科技早参

｜2026年1月19日 星期一｜ NO.1SK海力士、三星加速HBF商业化进程，明年或用于英伟达产品 1月18日，据媒体报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF（高带宽闪存）标准的制定。该公司计划最 … Continue reading SK海力士、三星加速HBF商业化进程，明年或用于英伟达产品；Anthropic拟融资至少250亿美元，Claude Code火爆出圈丨全球科技早参

SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品

《科创板日报》1月18日讯 尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及。 据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF … Continue reading SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品