标签: 逻辑芯片
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SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片
据报道,SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代(1c)DRAM工艺,而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
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三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片
《科创板日报》21日讯,三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片,其于此前已将4nm制程应用于HBM4(第六代HBM)的逻辑芯片…
据报道,SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代(1c)DRAM工艺,而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
《科创板日报》21日讯,三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片,其于此前已将4nm制程应用于HBM4(第六代HBM)的逻辑芯片…