3月17日，SK海力士宣布，将于3月16日至19日（当地时间）参加在美国加州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026（GPU技术大会）”。SK海力士以“聚焦AI存储器”为主题设立展区，集中展示面向AI的存 … 继续阅读 SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
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内存短缺2028年将结束？三星和SK海力士资本支出偏谨慎
财联社3月16日讯（编辑 马兰）全球存储行业正处于人工智能需求爆发的超级周期中，然而，随着时间推移，以三星电子和SK海力士为代表的主要存储生产商正在重新审视市场供需平衡，并采取了更加谨慎的扩张策略。 … 继续阅读 内存短缺2028年将结束？三星和SK海力士资本支出偏谨慎
AI热潮下“芯荒”难解？应用材料联手美韩芯片巨头 合作开发存储芯片
财联社3月11日讯（编辑 刘蕊）美东时间周二，应用材料表示，已与存储芯片公司美光科技和SK海力士达成合作，共同开发下一代AI存储芯片。 应用材料公司宣布，美光和SK海力士将作为应用材料公司研究中心的创 … 继续阅读 AI热潮下“芯荒”难解？应用材料联手美韩芯片巨头 合作开发存储芯片
英伟达拟在Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士HMB4存储技术
据报道，英伟达计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士的HMB4存储技术。
英伟达LPU新品会挤压HBM市场？黄仁勋早就澄清过这个误解
财联社3月5日讯（编辑 史正丞）随着韩国股市近3天坐上“过山车”，一些揣测也在股价巨震期间敲打着股民们紧绷的神经。 作为背景，上周五美股收盘后有爆料称，英伟达将在当地时间3月15日举行的GTC大会上发 … 继续阅读 英伟达LPU新品会挤压HBM市场？黄仁勋早就澄清过这个误解
HBM竞赛白热化！SK海力士探索封装新方案 或满足英伟达峰值性能目标
《科创板日报》3月4日讯 据韩国ZDNet消息，SK海力士正在推进下一代封装技术，用于提高HBM4的稳定性和性能。目前该项技术正处于验证阶段。 由于HBM4的I/O（输入/输出信号）数量翻倍至2048 … 继续阅读 HBM竞赛白热化！SK海力士探索封装新方案 或满足英伟达峰值性能目标
SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及 … 继续阅读 SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
SK海力士与闪迪公司启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程
SK海力士与闪迪公司启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程 2月26日，SK海力士宣布，于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司(SanDisk)总部，与闪迪公司联合举办“HBF规格标 … 继续阅读 SK海力士与闪迪公司启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程
韩国存储芯片巨头SK海力士拟在韩国投资150亿美元 以扩建芯片产能
存储涨价潮愈演愈烈，长鑫存储等中国存储力量能否借机破局？
曾经车规级芯片的涨价缺货潮，令大量国产芯片有机会接受车规级认证，从而打入汽车市场。而这一波存储芯片涨价潮，历史还会再次上演吗？ 2025年下半年以来，存储芯片持续涨价，这也令手机厂商承压。有消息称，苹 … 继续阅读 存储涨价潮愈演愈烈，长鑫存储等中国存储力量能否借机破局？