标签： 海力士
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“芯荒”难解！SK集团董事长：存储芯片短缺或持续至2030年
财联社3月17日讯（编辑 刘蕊）当地时间周二（3月17日），韩国SK集团董事长崔泰源在美国加州圣何塞举行的英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存…
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SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
3月17日，SK海力士宣布，将于3月16日至19日（当地时间）参加在美国加州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026（GPU技术大会）”。SK海力士…
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内存短缺2028年将结束？三星和SK海力士资本支出偏谨慎
财联社3月16日讯（编辑 马兰）全球存储行业正处于人工智能需求爆发的超级周期中，然而，随着时间推移，以三星电子和SK海力士为代表的主要存储生产商…
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AI热潮下“芯荒”难解？应用材料联手美韩芯片巨头 合作开发存储芯片
财联社3月11日讯（编辑 刘蕊）美东时间周二，应用材料表示，已与存储芯片公司美光科技和SK海力士达成合作，共同开发下一代AI存储芯片。 应用材料…
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英伟达拟在Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士HMB4存储技术
据报道，英伟达计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士的HMB4存储技术。
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英伟达LPU新品会挤压HBM市场？黄仁勋早就澄清过这个误解
财联社3月5日讯（编辑 史正丞）随着韩国股市近3天坐上“过山车”，一些揣测也在股价巨震期间敲打着股民们紧绷的神经。 作为背景，上周五美股收盘后有…
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HBM竞赛白热化！SK海力士探索封装新方案 或满足英伟达峰值性能目标
《科创板日报》3月4日讯 据韩国ZDNet消息，SK海力士正在推进下一代封装技术，用于提高HBM4的稳定性和性能。目前该项技术正处于验证阶段。 …
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SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前…
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SK海力士与闪迪公司启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程
SK海力士与闪迪公司启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程 2月26日，SK海力士宣布，于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司…