标签： 氮化镓

马斯克为何选择英特尔合作Terafab？一篇论文可能给出答案

财联社4月13日讯（编辑 马兰）英特尔上周宣布，将加入马斯克的巨型芯片项目Terafab，参与芯片设计、制造和封装等工序，并帮助Terafab达成年产能一太瓦算力的目标。 虽然这场合作被视为一场双赢， … Continue reading 马斯克为何选择英特尔合作Terafab？一篇论文可能给出答案

氮化镓空穴中量子振荡首次“现形”

财联社3月26日电，氮化镓是一种能在高电压、高温、高频下稳定工作的半导体，广泛应用于LED照明、大功率电子器件等领域。在一项最新研究中，美国康奈尔大学研究团队首次观察到氮化镓空穴中的量子振荡，为拓展其 … Continue reading 氮化镓空穴中量子振荡首次“现形”

我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口

据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提 … Continue reading 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口

西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%

财联社1月17日电，据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综 … Continue reading 西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%

安森美、格罗方德达成合作，基于后者制程开发新一代氮化镓 (GaN) 功率器件

12 月 19 日消息，安森美半导体昨日宣布与格罗方德半导体 (GF) 签署合作协议，将采用 GF 先进的 200mm（8 英寸）eMode 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺开发并制造先进氮化 … Continue reading 安森美、格罗方德达成合作，基于后者制程开发新一代氮化镓 (GaN) 功率器件

安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件

财联社12月19日电，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺， … Continue reading 安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件

一年可为超大型AI算力中心省3亿度电 第三代半导体有望迎来需求爆发

100万个指甲盖大小的“黑盒子”，装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。这是九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超 … Continue reading 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电 第三代半导体有望迎来需求爆发

九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电

《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说， … Continue reading 九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电