标签： 氮化镓

据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提 … Continue reading 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口

财联社1月17日电，据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综 … Continue reading 西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%

12 月 19 日消息，安森美半导体昨日宣布与格罗方德半导体 (GF) 签署合作协议，将采用 GF 先进的 200mm（8 英寸）eMode 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺开发并制造先进氮化 … Continue reading 安森美、格罗方德达成合作，基于后者制程开发新一代氮化镓 (GaN) 功率器件

财联社12月19日电，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺， … Continue reading 安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件

当地时间12月18日，安森美宣布，已与格芯（GlobalFoundries）签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN（氮化镓）功率产品，合作将从65 … Continue reading 安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件

《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说， … Continue reading 九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电