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SK海力士将斥资近80亿美元采购ASML极紫外光刻设备
3月24日,据报道,SK海力士表示,为准备新产品的大规模量产,公司将采购价值11.95万亿韩元(约合79.7亿美元)的ASML极紫外光刻设备。SK海力士在监管文件中称,将在2027年12月31日前完成 … 继续阅读 SK海力士将斥资近80亿美元采购ASML极紫外光刻设备
SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片
据报道,SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代(1c)DRAM工艺,而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
SK会长:将力求稳定芯片价格 考虑海力士在美上市
财联社3月17日电,韩国SK集团会长崔泰源16日在美国圣何塞接受记者采访时表示,全球存储芯片短缺现象可能持续至2030年,SK海力士将为稳定价格竭尽全力,并正在考虑发行美国存托凭证(ADR)的方案。
SK集团董事长:内存芯片短缺或将持续至2030年
3月17日,据报道,韩国SK集团董事长表示,由于半导体生产中存在系统性瓶颈,全球内存芯片短缺局面可能还将持续四到五年。
SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
3月17日,SK海力士宣布,将于3月16日至19日(当地时间)参加在美国加州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026(GPU技术大会)”。SK海力士以“聚焦AI存储器”为主题设立展区,集中展示面向AI的存 … 继续阅读 SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
内存短缺2028年将结束?三星和SK海力士资本支出偏谨慎
财联社3月16日讯(编辑 马兰)全球存储行业正处于人工智能需求爆发的超级周期中,然而,随着时间推移,以三星电子和SK海力士为代表的主要存储生产商正在重新审视市场供需平衡,并采取了更加谨慎的扩张策略。 … 继续阅读 内存短缺2028年将结束?三星和SK海力士资本支出偏谨慎
英伟达拟在Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士HMB4存储技术
据报道,英伟达计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士的HMB4存储技术。
SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
《科创板日报》4日讯,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及 … 继续阅读 SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
