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SK海力士将斥资近80亿美元采购ASML极紫外光刻设备
3月24日，据报道，SK海力士表示，为准备新产品的大规模量产，公司将采购价值11.95万亿韩元（约合79.7亿美元）的ASML极紫外光刻设备。S…
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SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片
据报道，SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代（1c）DRAM工艺，而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
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SK会长：将力求稳定芯片价格 考虑海力士在美上市
财联社3月17日电，韩国SK集团会长崔泰源16日在美国圣何塞接受记者采访时表示，全球存储芯片短缺现象可能持续至2030年，SK海力士将为稳定价格…
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SK集团董事长：内存芯片短缺或将持续至2030年
3月17日，据报道，韩国SK集团董事长表示，由于半导体生产中存在系统性瓶颈，全球内存芯片短缺局面可能还将持续四到五年。
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SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
3月17日，SK海力士宣布，将于3月16日至19日（当地时间）参加在美国加州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026（GPU技术大会）”。SK海力士…
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内存短缺2028年将结束？三星和SK海力士资本支出偏谨慎
财联社3月16日讯（编辑 马兰）全球存储行业正处于人工智能需求爆发的超级周期中，然而，随着时间推移，以三星电子和SK海力士为代表的主要存储生产商…
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英伟达拟在Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士HMB4存储技术
据报道，英伟达计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士的HMB4存储技术。
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SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前…