据报道，SK海力士表示，计划今年下半年向客户提供HBM4E样品，目标是在2027年实现HBM4E量产。该公司称，预计未来三年来自客户的HBM需求将远超过公司的HBM产能。
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三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产
《科创板日报》17日讯，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的 … 继续阅读 三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批HBM4E将于5月生产
HBM之父：看好高带宽闪存技术 未来AI产业或从GPU转向内存主导
《科创板日报》1日讯，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。尽管现阶 … 继续阅读 HBM之父：看好高带宽闪存技术 未来AI产业或从GPU转向内存主导
先进封装必选项？存储双雄加码混合键合技术 或用于下一代HBM生产
《科创板日报》3月31日讯 据TheElec最新报道，SK海力士近期订购了一套价值约200亿韩元（约合9020万元人民币）的混合键合设备。这套设备由应用材料（Applied Materials）的化学 … 继续阅读 先进封装必选项？存储双雄加码混合键合技术 或用于下一代HBM生产
SEMI中国总裁冯莉：2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元 HBM产能缺口达50%—60%
财联社3月26日电，SEMICON China 2026国际半导体展3月25日在上海正式拉开帷幕。SEMI中国总裁冯莉在致辞时表示，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻， … 继续阅读 SEMI中国总裁冯莉：2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元 HBM产能缺口达50%—60%
SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片
据报道，SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代（1c）DRAM工艺，而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
AMD与三星深化合作 布局HBM4供应并探索代工业务
财联社3月18日讯（编辑 夏军雄）周三（3月18日），三星电子与超威半导体（AMD）宣布，双方已签署一份谅解备忘录，将扩大在人工智能（AI）基础设施内存芯片供应方面的战略合作。 两家公司在声明中称，这 … 继续阅读 AMD与三星深化合作 布局HBM4供应并探索代工业务
美光科技开始为英伟达量产HBM4内存
当地时间3月16日，据报道，美光科技表示，其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货，首批产品为36GB的12层堆叠（12-high）版本，专为Vera Rubin平台打造。该公司表示，HBM4相比 … 继续阅读 美光科技开始为英伟达量产HBM4内存
存储产能争夺战再升温 AMD欲联手三星电子锁定HBM供给
财联社3月11日电，知情人士表示，AMD首席执行官苏姿丰将于下周在韩国会见韩国科技霸主三星电子会长李在镕，双方将重点讨论在用于人工智能芯片组件的高带宽存储(即HBM存储系统)供应保障方面开展积极合作。 … 继续阅读 存储产能争夺战再升温 AMD欲联手三星电子锁定HBM供给
英伟达LPU新品会挤压HBM市场？黄仁勋早就澄清过这个误解
财联社3月5日讯（编辑 史正丞）随着韩国股市近3天坐上“过山车”，一些揣测也在股价巨震期间敲打着股民们紧绷的神经。 作为背景，上周五美股收盘后有爆料称，英伟达将在当地时间3月15日举行的GTC大会上发 … 继续阅读 英伟达LPU新品会挤压HBM市场？黄仁勋早就澄清过这个误解