财联社1月29日讯（编辑 夏军雄）凭借在人工智能（AI）芯片所需的高带宽存储器（HBM）的领先优势，SK海力士在2025年首次实现营业利润超越竞争对手三星电子。 本周，两家韩国存储芯片巨头均公布了财报 … Continue reading AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星
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AI引爆存储涨价潮！三星Q4营收利润均创新高 芯片业务利润飙升470%
财联社1月29日讯（编辑 卞纯）周四（1月29日），全球最大内存芯片制造商三星电子发布了2025年第四季度（截至12月31日）以及2025年全年业绩。 财报显示，随着科技巨头间的AI竞赛加剧存储芯片短 … Continue reading AI引爆存储涨价潮！三星Q4营收利润均创新高 芯片业务利润飙升470%
SK海力士Q4营收利润均创新高 HBM成业绩增长关键动力
财联社1月28日讯（编辑 马兰）韩国半导体制造商SK海力士周三公布其2025年第四季度财报，凭借人工智能内存芯片领域的竞争力以及包括HBM在内的高附加值产品，该公司的年度和季度业绩双双创下历史新高。 … Continue reading SK海力士Q4营收利润均创新高 HBM成业绩增长关键动力
“超级周期”已至！众多行业人士预测：存储短缺或至少持续两到三年
财联社1月27日讯（编辑 刘蕊）随着人工智能基础设施建设轰轰烈烈，人们越来越感受到，存储芯片供应紧张状况可能会比预期持续更长时间。那么，这一供应短缺情况究竟会持续多久？ 多位半导体行业资深人士作出了相 … Continue reading “超级周期”已至！众多行业人士预测：存储短缺或至少持续两到三年
SK海力士将独家为Maia 200供应HBM3E芯片
《科创板日报》27日讯，SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片。据悉，Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB，其配备了六个12层HBM3E内存模块，每个模块容量为36 … Continue reading SK海力士将独家为Maia 200供应HBM3E芯片
三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段
《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。 … Continue reading 三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段
三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片
《科创板日报》21日讯，三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片，其于此前已将4nm制程应用于HBM4（第六代HBM）的逻辑芯片，该产品预计将于今年投入商业化生产。 (ZDNet)
SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品
《科创板日报》1月18日讯 尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及。 据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF … Continue reading SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品
机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末
根据TrendForce集邦咨询最新调查，NVIDIA（英伟达）于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正 … Continue reading 机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末
三星高管警告：内存供应吃紧 电子产品全面涨价风险抬头
财联社1月7日讯（编辑 赵昊）三星电子高管表示，内存芯片的供应短缺预计将推高整个电子行业商品的价格，甚至可能波及其自家消费类产品的售价。 三星已是全球最大的内存制造商之一，但即便如此，其产品组合也难以 … Continue reading 三星高管警告：内存供应吃紧 电子产品全面涨价风险抬头